
应用领域:
航空航天
制备碳化硅(SiC)、氮化硅(Si₃N₄)等陶瓷基复合材料(CMC),用于发动机耐高温部件。  
钛合金、镍基超合金的扩散连接(Diffusion Bonding),提升结构件强度。  
核能与军工 
核燃料芯块(UO₂、ThO₂)的高密度烧结。  
装甲陶瓷(B₄C、Al₂O₃)与金属的复合制备。  
电子与半导体  
热电材料(Bi₂Te₃、SiGe)的快速致密化,提升转换效率。  
金刚石-铜复合散热基板的界面优化。  
硬质材料与工具
超硬刀具(WC-Co、立方氮化硼cBN)的低温高压烧结。  
多晶金刚石(PCD)的合成。  
科研与新材料 
高熵合金、MAX相陶瓷的块体制备。  
纳米粉末材料的晶界控制与致密化。  
技术特点
1、多场耦合工艺 
温度:可达2200°C(石墨加热体)或2500°C(钨/钼加热体),控温精度±1°C。  
压力:单向或双向加压(10~100 MPa),液压/机械驱动,保压稳定性±0.5%。  
气氛:高真空(≤10⁻³ Pa)或惰性气体(Ar、N₂)保护,避免氧化。  
2、高效致密化 
同步施加热能与机械能,显著降低烧结温度(比传统烧结低200~500°C),抑制晶粒长大。  
3、精密控制系统  
PLC+触摸屏编程,可设定多段温度-压力曲线,实时监测位移、变形量等参数。  
可选配**真空脱脂**功能,适用于粘结剂辅助成型工艺(如MIM)。  
4、特殊结构设计  
热区材料:石墨、钨或钼隔热屏,适应不同温度与化学环境。  
模具兼容性:支持石墨、碳化钨等模具,适配复杂形状工件。  
5、安全与扩展性  
过压、超温、水冷故障自动保护。  
可选配快速冷却系统(气淬/水淬),缩短工艺周期。  
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